常见的误解

对DPN最经常的批评是构图速度。造成这种情况的原因更多是与将其与其他技术进行比较相比，而不是任何固有的弱点。例如，软光刻法微接触印刷（μCP）是低成本、台式微尺度和纳米级图案化的当前标准，因此很容易理解为什么直接将DPN与微接触印刷进行比较。问题在于，这些比较通常基于非常适合μCP的应用程序，而不是将它们与某些中立应用程序进行比较。μCP能够像光刻一样在单个冲压步骤中在大面积上对一种材料进行构图一次曝光即可在大面积上成像。与其他技术相比，DPN当然很慢。DPN是一种无掩模直接写入技术，可用于在单个基板上创建大小、形状和特征分辨率不同的多个图案。没有人会尝试将微接触印刷应用于这样的项目，因为那样一来，为每种新图案制造每个主印模就不需要花费时间和金钱。即使他们这样做了，微接触印刷也无法将具有纳米级套准的多个印章中的多种材料对齐。理解这种误解的xxx方法是考虑应用光刻和电子束光刻的不同方法。没有人会尝试使用电子束来解决光刻问题，然后声称电子束“太慢”。与光刻的大面积构图能力直接相比，电子束光刻的速度很慢，但是，电子束仪器可以在世界上每个实验室和纳米工厂中找到。其原因是因为电子束具有光刻无法比拟的独特功能，就像DPN具有微接触印刷无法比拟的独特功能一样。

浸笔式纳米光刻是直接从AFM演变而来的，因此人们常常以为任何商业AFM都能进行DPN实验就不足为奇了。实际上，DPN不需要AFM，并且AFM不一定具有真正的DPN功能。扫描电子显微镜（SEM）和电子束（E-beam）光刻技术是一个很好的类比。电子束是直接从SEM技术发展而来的，都使用聚焦电子束，但是在缺乏适当的光刻硬件和软件组件的SEM上无法进行现代电子束光刻实验。

考虑DPN的独特特征之一，即其力量独立性也很重要。使用几乎所有墨水/基材组合，无论笔尖向下压在表面上的力度如何，都将图案化相同的特征尺寸。只要使用坚固的SiN吸头，就不需要复杂的反馈电子设备，不需要激光器，不需要四极光电二极管，也不需要AFM。