重要技术

光学光刻是纳米光刻领域中最重要和最流行的技术之一。光刻技术包含几种重要的衍生技术，所有这些技术都使用非常短的光波长来改变某些分子的溶解度，从而使它们在溶液中被洗掉，从而留下所需的结构。几种光学光刻技术需要使用浸液技术和许多分辨率增强技术，例如相移掩模（PSM）和光学邻近校正（OPC）。这套技术中包括的一些技术包括多光子光刻，X射线光刻，光耦合纳米光刻（LCM）和极紫外光刻（EUVL）。^[2]由于该技术能够精确地生成低于30纳米的结构，因此被认为是最重要的下一代光刻（NGL）技术。

电子束光刻（EBL）或电子束直接写入光刻（EBDW）在覆盖有电子敏感膜或抗蚀剂（例如PMMA或HSQ）的表面上扫描聚焦的电子束以绘制自定义形状。通过改变抗蚀剂的溶解度并随后通过浸入溶剂中来选择性去除材料，已经获得了低于10 nm的分辨率。这种形式的直接写入，无掩模光刻技术具有高分辨率和低产量，将单列电子束限制在光掩模制造，半导体器件的小批量生产以及研究和开发方面。多电子束方法 目标是提高半导体大规模生产的生产量。

EBL可用于在固体基质上进行选择性蛋白质纳米图案化，旨在实现超灵敏感测。

扫描探针光刻（SPL）是另一套技术，可使用扫描探针通过蚀刻掉不需要的材料或将新材料直接写到基板上，从而在纳米尺度上将图形图案化为单个原子。此类别中的一些重要技术包括浸笔式纳米光刻、热化学纳米光刻、热扫描探针光刻和局部氧化纳米光刻。浸笔式纳米光刻技术是这些技术中使用最广泛的技术。

纳米压印光刻（NIL）及其变体（例如步进和闪光压印光刻和激光辅助定向压印（LADI））是很有前途的纳米图案复制技术，其中图案是由压印抗蚀剂的机械变形（通常是单体或聚合物形成）形成的在压印过程中通过加热或紫外线固化。该技术可与接触印刷和冷焊相结合。纳米压印光刻技术能够产生低于10 nm的图案。